磁激励RF-PECVD法低温制备类金刚石薄膜及其特性
作者：肖琦;杨保和;朱珊珊
作者机构：天津理工大学天津市薄膜电子与通信器件重点实验室,天津300384
来源：光电子．激光
ISSN：1005-0086
年：2010
卷：021
期：009
页码：P.1332-1336
页数：5
中图分类：O484
正文语种：CHI
关键词：磁激励;射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）;低温;类金刚石（DLC）;声表面波（SAW）;气体传感器
摘要：采用磁激励射频等离子体增强化学气相沉积（M-RF-PECVD）方法,室温下分别在玻璃和Si（100）衬底上制备类金刚石（DLC）薄膜,通过扫描电镜（SEM）、傅里叶红外光谱（FTIR）和Raman光谱对不同沉积条件下制备的薄膜进行表征。结果表明,在反应压强为30 Pa、入射功率为50 W、CH4/Ar=5/90、衬底温度为40℃的实验条件下,制备的含氢DLC薄膜表面平整、结构致密,膜基结合度良好,薄膜中以sp3键为主。
本文来源：https://www.2haoxitong.net/k/doc/0e9e5c8ec3c708a1284ac850ad02de80d5d80600.html
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